春华秋实w
2020年05月04日 下午05:30:31227阅读

合肥常鑫获美企芯片技术专利实施许可

芯片我国DRAM

好消息!中企获美企芯片技术专利的实施许可,1500亿项目正式投产 据IT之家5月4日报道,我国存储芯片制造巨头合肥长鑫存储宣布,近期已同美国半导体公司蓝铂世签署专利许可协议。据悉,此举意味着合肥长鑫将获得大量动态随机存取存储(DRAM)技术专利的实施许可。 众所周知,我国是芯片进口大国。其中,存储类芯片在我国半导体芯片产品进口中占据较大份额,仅DRAM内存芯片的占比就超过20%。参考消息报道曾指出,国际DRAM芯片等高端半导体的制造技术一直被韩国三星电子、韩国SK海力士、美国美光科技3家企业垄断,总共占据了全球95%以上的份额。因此,对我国来说,发展国产DRAM内存芯片产业,减少对外依存度显得很有必要。 数据显示,2019年我国集成电路进口金额为3055.5亿美元,同比下降2.1%。在我国支持相关的芯片制造企业发展之际,也在不断迎来好消息。作为我国首家投入量产的DRAM芯片设计制造企业,合肥长鑫在去年9月的世界制造业大会上,宣布投资额达1500亿元内存芯片自主制造项目正式进入投产,将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。 据合肥长鑫有关代表人士透露,在DRAM芯片的制造上,该司采用的是19nm工艺,目标是月产4万片晶圆。据悉,合肥长鑫是全球第4家采用20nm以下工艺的内存厂商。业内人士曾预计,到2020年底,仅合肥长鑫一家的内存芯片产能大概就能在全球内存产能中占据3%的份额。 统计数据显示,2015年中国在全球半导体销售额上的占比为24%,到了2019年中国的销售额占比已经提升至35%。此外,我国芯片制造商中芯国际还在年初提前完成了14nm级芯片的量产。然而,在我国芯片制造产业的快速发展之际,日本共同社2月23日的一则报道却指出,包括日本、美国在内的42个国家宣布,将扩大对半导体产品的出口限制范围。

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